近日,深圳大學材料學院青年教師劉新科博士在氮化鎵功率器件(AlGaN/GaN MOS-HEMTs)研究領(lǐng)域取得創(chuàng)新結(jié)果,并在Nature出版集團旗下的《Scientific Reports》(IF:5.578)上發(fā)表了題為《AlGaN/GaN Metal-OxideSemiconductor High-ElectronMobility Transistor with Polarized P(VDF-TrFE) Ferroelectric Polymer Gating》的文章(DOi: 10.1038/srep14092)。深圳大學是第一單位,劉新科為第一作者,深圳大學呂有明教授和陳少軍副教授為通信作者。
論文內(nèi)容包含AlGaN/GaN MOS-HEMTs功率器件,高分子鐵電材料Polarized P(VDF-TrFE),以及材料表征和功率器件模擬,是一篇跨學科的工作。通過采用極化的高分子鐵電材料Polarized P(VDF-TrFE)來改變器件的導通電阻或寄生電阻,可以降低器件的靜態(tài)功耗。AlGaN/GaN MOS-HEMTs是第三代半導體電力電子器件的典型代表,將來可用于電力電子市場,較低的導通電阻可以有效降低在電力轉(zhuǎn)化系統(tǒng)(DC/DC, DC/AC,AC/AC)的功耗。
該研究得到了國家自然科學基金項目等資助。
Scientific Reports 是來自 Nature 雜志集團出版的一個發(fā)表原始研究工作的刊物,在線出版,公開訪問,內(nèi)容涉及自然科學所有領(lǐng)域。
(劉新科博士和呂有明教授聯(lián)合招收博士后和碩士研究生 xkliu@szu.edu.cn ,http://cmse.szu.edu.cn) 。